据Xtech Nikkei报道，铠侠首席技术官宫岛秀文表示，该公司计划在2031年前量产超过1000层的3D NAND闪存。 在东京市立大学举行的第71届应用物理学会春季会议上，宫岛秀文发表了演讲，探讨了在3D ...

首先考虑NMOS部分，如果其中一个NMOS门是高电平，输出必须保持低电平。如下图所示。 其次， PMOS部分，如果A为高，B为高，或者A、B均为高时，PMOS部分必须处于关断的状态。而且，如果A和B均为低时，PMOS部分必须为ON的状态。 如下图所示，即满足以上的要求。

而三星电子虽然也规划过 1000 层 NAND 路线，但最终选择更稳健的策略。该公司曾在旧金山国际固态电路大会（ISSCC）展示 multi-BV NAND 概念，通过将两块晶圆堆叠在两块外围晶圆上，实现 1000 层扩展，整体思路与铠侠的方案高度相似。

NAND闪存革新数据存储，3D NAND推动AI发展，未来挑战千层堆叠与电荷陷阱技术。 自 20 世纪 80 年代末引入存储器市场以来，NAND 闪存从根本上改变了大量数据的存储和检索方式。 这种专为高密度数据存储而设计的非易失性存储器几乎应用于电子市场的各个领域，从 ...

最近，铠侠展示了BiCS 8 NAND的相关产品。铠侠与西部数据在2023年3月宣布了BiCS 8的出样，这一代NAND采用了CMOS绑定阵列（CBA）技术。 传统上，闪存芯片的制造过程将逻辑电路（CMOS工艺）布置在闪存阵列的外围，随后在阵列之下放置CMOS逻辑电路。然而，这种方法 ...

自20世纪80年代末进入内存市场以来，NAND闪存从根本上改变了大量数据的存储和检索方式。 这种非易失性存储器专为高密度数据存储设计，几乎出现在电子市场的每一个细分领域，从智能手机到数据中心及介于两者之间的各个领域。它被广泛应用于大多数可拆卸 ...

在半导体存储技术领域，一场关于3D NAND闪存层数突破的竞赛正愈演愈烈。铠侠与闪迪近日宣布，将于6月14日至18日举办的VLSI Symposium研讨会上，联合展示基于多层堆叠单元架构（QLC）的NAND闪存技术，标志着行业向1000层3D NAND的研发目标迈出关键一步。

在SK海力士、美光退出128层3D NAND之后，长江存储于今年4月份宣布推出128层堆栈的3D NAND闪存。与三星（V-NAND）、美光（CTF CuA）和SK hynix（4D PUC）的现有128L 512Gb 3D TLC NAND产品相比，长江存储128层Nand裸片尺寸更小，这使得它的比特密度最高，其工艺在容量、位 ...

这是 BiCS10 更复杂、高密度架构制造和性能调整的过渡步骤。 Kioxia 和 SanDisk 已开始提供其第九代 BiCS FLASH 的样品出货。BiCS FLASH 是一种 NAND 闪存技术，融合了传统架构与现代增强功能，在当前的 BiCS8 和即将推出的 BiCS10 之间架起了一座桥梁。 日前，铠侠在ISSCC ...

更多精彩内容 请点击上方蓝字关注我们吧！ 随着密度和成本的飞速进步，数字逻辑和 DRAM 的摩尔定律几乎要失效。但是在NAND 闪存领域并非如此，与半导体行业的其他产品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。这是因为 NAND不再依赖光刻来图案化更小的单元。

在即将到来的VLSI Symposium研讨会上，铠侠与闪迪将联合展示其最新的多层堆叠单元架构QLC NAND闪存技术，这一举动标志着两家企业向突破1000层3D NAND的目标迈出了重要一步。据悉，该研讨会定于6月14日至18日举行，届时两家公司将同步展出相关技术成果。

据报道，为了减少对外国设备的依赖，长江存储技术有限公司（YMTC）在推动“全国产化”制造设备方面取得了重大突破，首条全国产化的产线将于2025年下半年导入试产。 2016年，长江存储在武汉东湖新技术开发区正式注册成立，专注于3D NAND闪存芯片的设计 ...