4月26日，在2026北京国际汽车展览会期间，中国汽车芯片产业创新战略联盟与深圳方正微电子有限公司（简称：“方正微电子”）联合举办发布会，该发布会以“方正微电子车规SiC MOSFET出货量破3000万颗暨G3新平台产品发布”为主题。在发布会上，方正微电子宣布车规级碳化硅（SiC）MOSFET芯片累计出货量突破3000万颗，并同步发布全新一代车规级SiC MOSFET——G3新平台系列产品。 第三 ...

SiC项目布局方面，斯达半导体已形成年产6万片6英寸车规级SiCMOSFET芯片的生产能力，产线迅速爬坡。2026年初，斯达半导体发布公告称将募资建设车规级SiC MOSFET模块制造项目，项目达产后，将新增年产280万个SiC ...

在全球能源转型的大背景下，潮汐能作为一种清洁、可再生的能源形式，正受到越来越多的关注。随着大规模储能需求的不断攀升，潮汐能储能电站成为稳定电网、实现能源时空转移的关键基础设施。其中，功率转换系统（PCS）作为电站的“能量枢纽”，其性能直接决定了电站的运行效率和可靠性。而功率MOSFET作为PCS的核心元件，其选型对于满足潮汐能电站对高耐压、高效率、高可靠性及 ...

随着智能网联汽车向高阶自动驾驶演进，车联网边缘服务器作为车载数据枢纽与算力基石，需在严苛的车规环境下实现持续稳定的高性能运算。其多路电源转换与热管理系统作为整机“能量心脏与体温调节中枢”，需为CPU/GPU、内存、存储及散热风扇等关键负载提供精准高效的电能管理与动态热控制，而功率MOSFET的选型直接决定了系统转换效率、功率密度、热管理精度及长期可靠性。本文针对车规级边缘服务器对高可靠、高效率、宽 ...

英飞凌 CoolSiC™ MOSFET G2通过非对称沟槽栅与深P阱设计、优化寄生电容等手段，其增强型体二极管的反向恢复特性得到改善，允许系统采用更短的死区时间（可短至 150ns ），但实际应用中仍需仔细评估以避免桥臂直通风险。

CoolSiC™ MOSFET G2 1200V系列产品是英飞凌最新推出的SiC MOSFET 产品，均采用了扩散焊工艺（.XT） 来降低结壳热阻。TO247封装器件的导通电阻从7mΩ到78mΩ。产品系列如下： 上表给出了G1与G2建议的替代关系。比如G1 IMZA120R040M1H同G2 IMZC120R034M2H和IMZA120R034M2H处在同一行，可以相互替换。为了兼容G1以及更大爬 ...

随着低空经济与路空一体化产业高速发展，电动垂直起降（eVTOL）、无人机、智能巡检机器人等高端装备对动力与电源系统提出了极高要求。电驱系统作为整机的“心脏与肌肉”，为推进电机、飞控、感知载荷及通信单元提供精准、高效、可靠的电能转换与分配。功率MOSF ...

碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。 碳化硅MOSFET具有高频高效，高耐压，高可靠性。可以实现节能降耗，小体积，低重量，高 ...

MOSFET即金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)，归属于功率分立器件，是场效应晶体管(Field Effect Transistor-FET)中的重要分类，属于电压控制型半导体器件，具有工作频率高、功耗低、输入阻抗高、导 ...

方正微电子总裁吴伟涛正式宣布：公司车规级主驱SiC MOSFET芯片累计出货量突破3000万颗，在新能源汽车车规主驱SiC ...

行业主要上市公司：华润微(688396.SH);士兰微(600460.SH);新洁能(605111.SH);扬杰科技(300373.SZ)等 功率半导体 (power semiconductor)是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。功率半导体可以分为功率 IC(Power IC)和功率 ...

2026年4月26日 – 在2026北京国际汽车展览会期间，深圳方正微电子有限公司联合中国汽车芯片产业创新战略联盟,隆重举办“方正微电子车规主驱SiC MOSFET出货量超3000万颗里程碑暨G3平台新产品发布会”。