FIB: FEI Helios G4 PFIB cross section milling workflow
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FIB: FEI Helios G4 PFIB cross section milling workflow
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A cross section of an SRAM device was prepared using FIB with little curtaining and observed by SEM at low accelerating voltage. FIB processing from directly above the sample surface caused curtaining due to the difference in etching rates of contact plug and other parts. Additional oblique FIB processing from two directions reduced the curtaining and produced a smooth surface to allow evaluation of nanometer NMOS structure. #SRAM #NMOS #Device #Curtaining #FIB #SEM #FIBSEM #electronmicroscopy #
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